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STMicroelectronics e la cinese Sanan Optoelectronics insieme per il carburo di silicio

STMicroelectronics e la cinese Sanan Optoelectronics insieme per il carburo di silicio

STMicroelectronics e Sanan Optoelectronics hanno stretto un accordo per la formazione di una nuova joint venture per la produzione di soluzioni in carburo di silicio su wafer da 200 mm. L'intesa prevede la costruzione di una nuova fabbrica per un investimento complessivo di 3,2 miliardi di dollari.

di pubblicata il , alle 08:41 nel canale Mercato
STMicroelectronics
 

L'italo-francese STMicroelectronics e la cinese Sanan Optoelectronics hanno stretto un accordo per la realizzazione di una joint venture per la produzione basata sul carburo di silicio (SiC) su wafer da 200 mm. In particolare, le due società si sono impegnate a costruire un nuovo stabilimento a Chongqing, i cui lavori termineranno nel 2028.

L'obiettivo è riuscire a soddisfare la crescente richiesta di componenti per il settore industriale e soprattutto automobilistico che procede a passo spedito verso l'elettrificazione, soprattutto in Cina. Lo stabilimento, infatti, produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STMicroelectronics così da coprire la domanda dei clienti cinesi.

La fabbrica, d'altronde, adotterà il processo manifatturiero in SiC di cui ST è proprietaria e farà da fonderia dedicata per l'azienda. Dal canto suo, Sanan, si è impegnata a costruire e gestire separatamente un nuovo stabilimento per la produzione di substrati da 200 mm per soddisfare le esigenze della joint venture.

La nuova fonderia dovrebbe diventare operativa a partire dal quarto trimestre del 2025, per poi chiudere le operazioni di costruzione nel 2028. Si prevede un importo totale per la realizzazione della JV di circa 3,2 miliardi di dollari, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi di dollari nel corso dei prossimi 5 anni, finanziate dai contributi di STMicroelectronics e Sanan, dal sostegno del governo cinese e dai prestiti ottenuti dalla JV.

"Si tratta di un passo importante per aumentare ulteriormente le nostre attività operative manifatturiere globali in SiC, che si aggiunge ai nostri importanti investimenti in Italia e a Singapore che continuano ad andare avanti", ha dichiarato Jean-Marc Chery, presidente e CEO di STMicroelectronics.

"Ci aspettiamo che questa joint venture sia uno dei fattori per afferrare l'opportunità di raggiungere un fatturato SiC di oltre 5 miliardi di dollari che vediamo entro il 2030. Questa iniziativa è coerente con l'ambizione di ST di ricavi per 20 miliardi di dollari e oltre nel 2025-2027".

Naturalmente, gli investimenti in Italia a cui fa riferimento il CEO sono quelli per la fabbrica che verrà realizzata a Catania annunciata sul finire dello scorso anno. Si tratta della prima fabbrica europea nel suo genere, dedicata alla produzione di substrati epitassiali SiC da 150 mm, la quale consentirà di bilanciare la fornitura europea tra fonti interne ed esterne.

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